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IPS105N03L G /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPS105N03L G的规格信息
IPS105N03L G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,500

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:管件

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):35A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):10.5 毫欧 @ 30A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):14nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1500pF @ 15V

功率 - 最大值:38W

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

供应商器件封装:PG-TO251-3

其它名称:IPS105N03LGIPS105N03LGAKMA1IPS105N03LGINIPS105N03LGXKSP000264172SP000788218

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